Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (45)

IRF9Z24NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12А 45Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 970 шт

Внешние склады:

940 шт

Цена от:

от 24,06₽

IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

74 351 шт

Внешние склады:

13 900 шт

Аналоги:

79 329 шт

Цена от:

от 13,74₽

IRFR9120NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

9 016 шт

Внешние склады:

3 900 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 25,68₽

IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 912 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 56,04₽

IRFR9120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Аналоги:

12 916 шт

Цена от:

от 141,18₽

CPC3703CTR Транзистор полевой N-канальный 250ВAвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

SOT-89-3

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

360мА

Сопротивление открытого канала:

4 Ом

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Depletion Mode

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC653N Транзистор полевой N-канальный 30В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB1P50TM Транзистор полевой P-канальный 500В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

10.5 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N06LTM Транзистор полевой N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD2P40TM Полевой транзистор, P-канальный, 400 В, 1.56 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

1.56A

Сопротивление открытого канала:

6.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQP13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13А 0.135 Ом, 45Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF13N06L Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

24Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT13N06LTF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQU13N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF76407D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

92 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9520NSPBF Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 6.8 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9620STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9Z24NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9Z24NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"