Одиночные MOSFET транзисторы

23
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (23)
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
872 шт

Внешние склады:
300 шт
Аналоги:
315 шт
Цена от:
от 83,52
Акция
STF15N80K5 STF15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 229,62
AO3400A AO3400A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.9Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
37 451 шт
Цена от:
от 1,56
Акция
CSD16406Q3 CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP17P10 FQP17P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF7406PBF IRF7406PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8А 2.5Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 487 шт
Цена от:
от 5,46
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18А 88Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI740GLCPBF IRFI740GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFI840GLCPBF IRFI840GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 40Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.1A SOT23-3
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-PowerPakВ® ChipFet
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPA08N80C3XKSA1 SPA08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-FP
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPI08N80C3XKSA1 SPI08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"