Одиночные MOSFET транзисторы

20
Входная емкость: 1000пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
639 шт

Внешние склады:
652 шт
Аналоги:
4 462 шт
Цена от:
от 46,62
STD17NF25 STD17NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 430 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 73,14
STP12NM50FP STP12NM50FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
301 шт

Внешние склады:
9 995 шт
Цена от:
от 129,96
STB11NM60T4 STB11NM60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
14 400 шт
Цена от:
от 140,58
STB18NF25 STB18NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 132,24
Акция
STF19NM50N STF19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 18,72
STP12NM50 STP12NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 35Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 200 шт
Цена от:
от 28,14
STP19NM50N STP19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
380 шт
Цена от:
от 140,40
STW19NM50N STW19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 шт
Цена от:
от 690,90
FCD9N60NTM FCD9N60NTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
385 мОм
Мощность макс.:
92.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.8нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDC638APZ FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA291P FDMA291P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
74 мОм
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMN48XP,115 PMN48XP,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
530мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
4.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NM60N STB18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
285 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STF17NF25 STF17NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17А 0.14 Ом, 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STL18NM60N STL18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 8x8
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
310 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STW18NM60N STW18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
285 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.5123 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"