Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

STP12NM50FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

564 шт

Под заказ:

470 шт

Цена от:

от 214,93₽

Акция

IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

20 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 800 шт

Цена от:

от 35,89₽

PMV48XP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 0.93Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 769 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 22,14₽

STD17NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 028 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 125,40₽

FCD9N60NTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 92.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17.8нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA291P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD6416ANLT4G-VF01 Полевой транзистор N-канальный 100В 19A DPAK Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMN48XP,115 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 530мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV48XPAR Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5457DC-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB11NM60T4 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 17A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 285 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STF17NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 17А 0.14 Ом, 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STF19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STL18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 310 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP12NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 12А 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"