Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
IRF7404TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 610 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 32,66
STW20NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 214Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
321 шт

Под заказ:
10 шт
Аналоги:
90 шт
Цена от:
от 283,78
CSD18563Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 96 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18563Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB22P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB33N10TM Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB6N80TM Транзистор полевой N-канальный 800В 5.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP33N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 127Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF22P10 Полевой транзистор P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF33N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF7404PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7А 2.5Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 610 шт
Цена от:
от 32,66
Акция IRFP044NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 53A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
STB20N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 17.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 330 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF20N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 17.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 330 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
STP20N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 17.5А 250Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 330 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
STP20NM60FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
STW20N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 17.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 330 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"