Одиночные MOSFET транзисторы

12
Входная емкость: 600пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 38,58
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-CPH
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4V Drive
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDPF5N60NZ FDPF5N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF730APBF IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
19.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 4.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.7A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 4.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.7A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
15.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"