Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
Акция IRF9328TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 434 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 103,75
FDMC7692 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.3A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDS8690 Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQA7N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF7488TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF9328PBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
1 434 шт.
Цена от:
от 103,75
Акция IRF9388PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTB25P06T4G Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27.5A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"