Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
Акция
IRF9328TRPBF IRF9328TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 349 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 75,06
FDMC7692 FDMC7692 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS8690 FDS8690 Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA7N80C_F109 FQA7N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP7N80C FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF7N80C FQPF7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF7488TRPBF IRF7488TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.3 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9328PBF IRF9328PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 549 шт
Цена от:
от 75,06
Акция
IRF9388PBF IRF9388PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTB25P06T4G NTB25P06T4G Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27.5A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"