Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

IRLL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 403 шт

Под заказ:

8 100 шт

Цена от:

от 28,77₽

IRLML5203TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 98 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 093 шт

Под заказ:

36 000 шт

Аналоги:

123 490 шт

Цена от:

от 8,76₽

STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

5 749 шт

Под заказ:

6 900 шт

Аналоги:

674 шт

Цена от:

от 27,29₽

STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

441 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 75,73₽

STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

4 455 шт

Под заказ:

40 040 шт

Аналоги:

5 889 шт

Цена от:

от 26,65₽

FDPF4N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 10.8нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD10N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 7.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP10N20C Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF10N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 9.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU10N20CTU Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

15 503 шт

Цена от:

от 28,77₽

SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB4NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD4NK60Z-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STR1P2UH7 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"