Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

IRLL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

15.6нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 966 шт

Внешние склады:

8 900 шт

Цена от:

от 22,80₽

IRLML5203TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

98 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

23 319 шт

Внешние склады:

47 785 шт

Аналоги:

129 060 шт

Цена от:

от 6,96₽

STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 727 шт

Внешние склады:

4 850 шт

Аналоги:

563 шт

Цена от:

от 25,26₽

STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

7 315 шт

Внешние склады:

70 шт

Аналоги:

1 882 шт

Цена от:

от 36,30₽

STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

13 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 60,12₽

FDPF4N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

10.8нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD10N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 7.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP10N20C Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF10N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU10N20CTU Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

15.6нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

14 866 шт

Цена от:

от 22,80₽

SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

530мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

530мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 1.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB4NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD4NK60Z-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STR1P2UH7 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

4.8нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"