Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

Акция

IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

218 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 41,69₽

BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

988 шт

Под заказ:

30 шт

Цена от:

от 40,57₽

Акция

IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10.05нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

48 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

150 шт

Цена от:

от 36,61₽

BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 018 шт

Цена от:

от 40,57₽

FDD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD7N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP3P20 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT2P25TF Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 0.55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT3P20TF Транзистор полевой P-канальный 200В 0.67A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 670мА Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT5P10TF Транзистор полевой P-канальный 100В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT7N10TF Транзистор полевой N-канальный 100В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPU80R4K5P7AKMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRL510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLD110PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 1A Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR110TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT3055 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"