Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
BSZ12DN20NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P40TM Транзистор полевой P-канальный 400В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP4P40 Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75321D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
HUF75321P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9634GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
NTHD3101FT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHP7N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
STD16NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 235 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD5N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 4.2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF5N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 4.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
STU5N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 4.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"