Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

Акция

SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

785пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

158 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 372,60₽

STP24NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.055 Ом, 26A,

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

268 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 205,26₽

IRF7854TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

13.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 483 шт

Цена от:

от 73,62₽

Акция

SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

785пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 268,20₽

Акция

2SJ655 Транзистор полевой P-канальный 100В 12А 25Вт

Производитель:

Sanyo Semiconductors

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

136 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2090пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AOD4189 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 40А 31Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6234 Полевой транзистор N-канальный 40В 85A 8-Pin DFN EP лента на катушке

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

8-DFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

3.4 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2805пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB15N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

8.9A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4480 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 10.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1686пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86140 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11.2A

Сопротивление открытого канала:

9.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8672S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB50N06TM Транзистор полевой N-канальный 60В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2672пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2672пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF634STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 8.1 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8318TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 50A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR15N20DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"