Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

Акция

SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

49 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 296,32₽

Акция

SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

158 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 419,62₽

STP24NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.055 Ом, 26A, Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

268 шт

Под заказ:

10 шт

Цена от:

от 231,13₽

Акция

2SJ655 Транзистор полевой P-канальный 100В 12А 25Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 136 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2090пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AOD4189 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 40А 31Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6234 Полевой транзистор N-канальный 40В 85A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2805пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB15N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4480 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1686пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86140 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.2A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2580пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8672S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB50N06TM Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF634STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 8.1 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7854TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8318TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 50A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR15N20DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"