Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (51)
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1647пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 194 шт

Внешние склады:
935 шт
Цена от:
от 77,34
IRF9333TRPBF IRF9333TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
19.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
897 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,34
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
384 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 107,40
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
687 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 132,24
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 401 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,76
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 150,66
AUIRFR4620 AUIRFR4620 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19531KCS CSD19531KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
7.7 мОм
Мощность макс.:
179Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
3870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS6670AS FDS6670AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA9P25 FQA9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB7N60TM FQB7N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 74А 1000 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP9P25 FQP9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9P25 FQPF9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF730PBF IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF730SPBF IRF730SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7420PBF IRF7420PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 11.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
3529пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7815PBF IRF7815PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1647пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 129 шт
Цена от:
от 77,34
IRF830PBF IRF830PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF830SPBF IRF830SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"