Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
IRF5803TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 3.4А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 112 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
17 222 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 20,37
IRF530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 038 шт

Под заказ:
2 375 шт
Цена от:
от 33,01
Акция IRF530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 976 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 44,93
STB55NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.7В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
159 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 107,12
STP55NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
226 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 104,50
BSC022N04LSATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7227-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 48A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2789пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD10AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1840пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP3672 Транзистор полевой N-канальный 105В 41A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 105В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Through Hole
FDS3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPA60R190P6XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 600В 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20.2A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF530NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 3.8Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 976 шт
Цена от:
от 44,93
STP20NM60FD Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
STP28N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 24 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole
STW20NM60FD Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"