Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

STD10NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13А 50Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 373 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 167,46₽

Акция

STP14NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

225 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 104,11₽

AOD413A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1125пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF7647S2TR Полевой транзистор N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC645N Транзистор полевой N-канальный 30В 5.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD24AN06LA0_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD306P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS2P106A Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 714пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC3612 Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86260 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME910PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP150N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD12N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PHP18NQ10T,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 18A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 633пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PHT6NQ10T,135 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 633пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN8R0-40PS,127 Транзистор полевой N-канальный 40В 77A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 77A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1262пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SI1427EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2343CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"