Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

STD7NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.5А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 413 шт

Под заказ:

3 470 шт

Цена от:

от 77,67₽

AON2406 Полевой транзистор N-канальный 20В 8A 6-Pin DFN-B EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 6-DFN-EP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16403Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16407Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18537NKCS Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD18537NQ5AT Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2022UFDF-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 7.9A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 907пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3512 Транзистор полевой N-канальный 80В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6690A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2674 Транзистор полевой N-канальный 220В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 220В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 366 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86324 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD19N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9520PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9520SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"