Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

Акция

IRF4104SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

81 шт

Внешние склады:

100 шт

Аналоги:

122 шт

Цена от:

от 100,38₽

IRFR3710ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

2930пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 865 шт

Внешние склады:

840 шт

Цена от:

от 59,58₽

Акция

IRL1004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130А 200Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

5330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

90 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 111,66₽

AUIRF4104 Транзистор полевой N-канальный 40В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF4104S Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 75 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 42 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

2930пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR3710ZTRL Полевой транзистор N-канальный 100В 56A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

2930пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDA59N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

300В

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

56 мОм

Мощность макс.:

500Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA69N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PN

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

69A

Сопротивление открытого канала:

41 мОм

Мощность макс.:

480Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP075N15A_F102 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

7350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP100N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

7300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFH5006TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

2930пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 705 шт

Цена от:

от 59,58₽

MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5802NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 16.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

16.4A

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

5025пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4425BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

100нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 28A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

6.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

3650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

9.6 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

100нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB42N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 0.079 Ом, 190Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

79 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"