Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
4 370 шт

Под заказ:
1 100 шт
Цена от:
от 84,39
Акция STP200NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 011 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,54
IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 173A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 7020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
159 шт

Под заказ:
2 500 шт
Цена от:
от 46,48
IRFP4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
502 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 183,31
Акция IRFP7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 172A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 172A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 7020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
296 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 170,75
AUIRF3004WL Полевой транзистор N-канальный 40В 386A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9450пФ Тип монтажа: Through Hole
FDB047N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 15265пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP047N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 120A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 15265пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция HUF75344G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75344P3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP264PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP31N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC (High Voltage) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP460PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт, 0.27 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPC60PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт, 0.40 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"