Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

IPW60R070C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 53A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

53A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

391Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

3800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

116 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 468,36₽

IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 704 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 66,00₽

IRFB3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

468 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 84,18₽

Акция

IRFB4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 250Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 297 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 95,94₽

IRFI3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 63Вт, 0.008 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

64A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

337 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 137,58₽

IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

7 495 шт

Внешние склады:

240 шт

Цена от:

от 77,04₽

Акция

IRFP4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 280Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

280Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

125 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 177,54₽

IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

477 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 132,36₽

IRFP3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 280Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

280Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

14 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 138,00₽

SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

560В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

284Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

29 шт

Внешние склады:

90 шт

Цена от:

от 724,08₽

AUIRFS3206 Транзистор полевой N-канальный 60В 210A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8320L Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 36 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

1.1 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

11110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB4233PBF Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

230В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

5510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP460BPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 20A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

278Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

3094пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72А 190Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

72A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

677 шт

Цена от:

от 132,36₽

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R8-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

270Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

10180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"