Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (45)

IRF7207TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

892 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 25,32₽

Акция

IRLMS2002TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5А 2Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSOP-6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

8 520 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 36,42₽

2SK2399(TE16L1,NQ) Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5 А

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18534Q5AT Транзистор полевой N-канальный 60В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9.8 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1755пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7696 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

11.5 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86139P Транзистор полевой P-канальный 100В 4.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

67 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1335пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86160 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME510PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6(1.6x1.6)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7692 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7692A Транзистор полевой N-канальный 30В 13.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.5A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7694 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.2A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1410пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4A 140Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.2 Ом

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9N30 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

300В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

98Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4А 47Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.2 Ом

Мощность макс.:

47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD60R385CPATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

385 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"