Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (48)
Акция
IRF7822TRPBF IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
901 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,94
Акция
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
423 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 77,40
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 489 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 71,70
IRL2203NPBF IRL2203NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
116A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
970 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,60
Акция
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
242 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 203,70
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
290 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 179,34
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
258 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 74,94
STP26NM60N STP26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 132 шт

Внешние склады:
552 шт
Цена от:
от 101,28
STP55NF06 STP55NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,74
STP55NF06FP STP55NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 91,20
STW26NM60N STW26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 291 шт

Внешние склады:
2 510 шт
Цена от:
от 95,28
Акция
STP21NM60ND STP21NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 82,32
AUIRL3705ZS AUIRL3705ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDA18N50 FDA18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
239Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDA24N40F FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA38N30 FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDD8444L_F085 FDD8444L_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
153Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8896 FDD8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86103L FDMS86103L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDP18N50 FDP18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 18А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"