Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
Акция IRL3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
125 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 203,18
IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
917 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 92,27
BUK9230-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 3805пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD86250 Транзистор полевой N-канальный 150В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF3717PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2890пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFI530GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLR2908PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
917 шт
Цена от:
от 34,34
IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
917 шт
Цена от:
от 31,56
PSMN028-100YS,115 Полевой транзистор N-канальный 100В 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27.5 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1634пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1441EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI1442DH-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 12В 4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3410DV-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 30В 8A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 4.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB70NF3LLT4 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD35NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STD7N52DK3 Транзистор полевой N-канальный 525В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF7N52DK3 Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"