Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (42)
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 016 шт

Внешние склады:
3 900 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 25,68
Акция
SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-FP
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
142 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 141,36
Акция
STB14NM50N STB14NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
156 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 86,58
STD2NK90ZT4 STD2NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
653 шт
Цена от:
от 50,94
STF14NM50N STF14NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 036 шт

Внешние склады:
420 шт
Цена от:
от 114,12
STP14NM50N STP14NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 124,20
TK20J60U TK20J60U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 190Вт (рекомендуемая замена: TK16J60W, TK16N60W)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
76 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 174,90
Акция
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 93A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
93A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.45В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,24
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Аналоги:
10 916 шт
Цена от:
от 136,14
BSC039N06NS BSC039N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ042N06NS BSZ042N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 40A серия OPTIMOS TSDSON8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685 FDD4685 Транзистор полевой N-канальный 40В 32А 27 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685-F085 Полевой транзистор P-канальный 40В 32A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685_F085 FDD4685_F085 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 32 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA510PZ FDMA510PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4685 FDS4685 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1872пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS5351 FDS5351 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS8690 FDS8690 Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD17P06TM FQD17P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
135 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"