Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IRF630NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт, 0.3 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.3A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

82Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

575пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

7 629 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 27,18₽

IRF630NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.3A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

82Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

575пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

307 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 75,78₽

Акция

IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

14 462 шт

Внешние склады:

5 589 шт

Цена от:

от 21,18₽

Акция

IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 113 шт

Внешние склады:

740 шт

Цена от:

от 48,72₽

IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

14.4 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1256пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

518 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 150,30₽

Акция

IRFL4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,2A 2,1Вт 0,045Ом SOT223

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

381 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 27,84₽

Акция

AUIRLR2905Z Транзистор полевой N-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

98 шт

Цена от:

от 197,10₽

CSD19533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON8EP

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

11.1 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86110 Транзистор полевой N-канальный 100В 12.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

10.2 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

38.2 мОм

Мощность макс.:

33.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS3590 Транзистор полевой N-канальный 80В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA7N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.9 Ом

Мощность макс.:

198Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB9N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

530 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1090пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

1.9 Ом

Мощность макс.:

167Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF11N40C Транзистор полевой N-канальный 400В 10.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

530 мОм

Мощность макс.:

44Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1090пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

1.9 Ом

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N25CT Транзистор полевой N-канальный 250В 8.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

430 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

710пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N50CF Транзистор полевой N-канальный 500В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

44Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"