Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IRF630NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт, 0.3 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

6 578 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 31,39₽

Акция

IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

16 447 шт

Под заказ:

3 880 шт

Цена от:

от 23,69₽

IRF630NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

507 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 85,35₽

IRF9Z34NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

110 шт

Аналоги:

3 733 шт

Цена от:

от 63,24₽

Акция

IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 733 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

110 шт

Цена от:

от 54,85₽

Акция

IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1256пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

258 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 160,12₽

Акция

IRFL4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,2A 2,1Вт 0,045Ом SOT223 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

634 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,12₽

Акция

AUIRLR2905Z Транзистор полевой N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

101 шт

Цена от:

от 246,38₽

CSD19533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 11.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86110 Транзистор полевой N-канальный 100В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2265пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 38.2 мОм Мощность макс.: 33.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS3590 Транзистор полевой N-канальный 80В 6.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA7N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQB19N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB9N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF11N40C Транзистор полевой N-канальный 400В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N25CT Транзистор полевой N-канальный 250В 8.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"