Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (63)
Акция
IRF8714TRPBF IRF8714TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1020пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 852 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 32,64
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 997 шт

Внешние склады:
2 875 шт
Цена от:
от 19,14
Акция
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
877пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 301 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 16,86
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2А 0.8Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
139 649 шт

Внешние склады:
71 085 шт
Аналоги:
673 211 шт
Цена от:
от 6,54
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
633пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
111 451 шт

Внешние склады:
16 650 шт
Аналоги:
599 712 шт
Цена от:
от 6,06
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.9А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.9А
Сопротивление открытого канала:
32 mOhm
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
268 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,84
PMV40UN2R PMV40UN2R Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3,7A 0,49Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-236AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
490мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
635пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 775 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,90
CSD17552Q3A CSD17552Q3A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17552Q5A CSD17552Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP3130L-7 DMP3130L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
432пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC637BNZ FDC637BNZ Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
895пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDC638APZ FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC658P FDC658P Транзистор полевой P-канальный 30В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA420NZ FDMA420NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 5.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
935пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN5632N_F085 FDN5632N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
475пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP5N50NZ FDP5N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF5N50NZ FDPF5N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Транзистор полевой N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF2N60C FQPF2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
23Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"