Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (63)

IRLML2502TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2А 0.8Вт, 0.045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

218 499 шт

Под заказ:

14 270 шт

Аналоги:

429 879 шт

Цена от:

от 7,49₽

IRLML6402TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 633пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

231 701 шт

Под заказ:

18 300 шт

Аналоги:

716 742 шт

Цена от:

от 7,42₽

IRLTS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.9А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.9А Сопротивление открытого канала: 32 mOhm Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

8 936 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 18,25₽

Акция

IRF8714TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 921 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,48₽

IRFTS9342TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 067 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 28,73₽

IRLHS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 877пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 336 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 17,84₽

PMV40UN2R Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3,7A 0,49Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-236AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 490мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

5 955 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 10,83₽

CSD17552Q3A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17552Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3130L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 895пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC658P Транзистор полевой P-канальный 30В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA420NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 935пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5632N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 475пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP5N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF5N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD13N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD2N60CTM Транзистор полевой N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 23Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"