Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
Акция
IRF9328TRPBF IRF9328TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 349 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 75,06
Акция
FCP11N60 FCP11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCP11N60F FCP11N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF11N60 FCPF11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11A TO220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDB8447L FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8447L FDD8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 44Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA28N15 FQA28N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 227Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CPATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 21 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
192Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9328PBF IRF9328PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 549 шт
Цена от:
от 75,06
Акция
IRF9388PBF IRF9388PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6,6А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
NTMFS4835NT1G NTMFS4835NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
890мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 50 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
2106пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 25А 100Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"