Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

Акция

AUIRF3805S-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

80 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 967,68₽

IRF1404STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

162A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

508 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 139,68₽

Акция

IRF2204PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 210А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

210A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

64 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 146,40₽

IRF3415PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43А 200Вт, 0.042 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 218 шт

Внешние склады:

700 шт

Цена от:

от 87,66₽

IRF3415STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43А 3.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

438 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 120,24₽

SPW35N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 34.6А 313Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

34.6A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

313Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

29 шт

Внешние склады:

30 шт

Цена от:

от 403,38₽

STW77N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69А 400Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

69A

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

400Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

9800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

15 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 747,48₽

AUIRF1404S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 202A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA65N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQL40N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

460Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF1404SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

162A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

508 шт

Цена от:

от 69,53₽

IRF1503PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

5730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF2204SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 170A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

170A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3415SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 038 шт

Цена от:

от 120,24₽

Акция

IRF3805S-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

735 шт

Цена от:

от 272,52₽

IRFP3415PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFPE50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

3100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFPF50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.7А 190Вт, 1.6 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"