Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

IRF7469TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 765 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 49,98₽

IRFR220NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5А 43Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

20 177 шт

Внешние склады:

5 600 шт

Аналоги:

1 145 шт

Цена от:

от 21,36₽

Акция

IRLB8748PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78А 75Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

78A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2139пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

485 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 41,22₽

IRLR8726TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

11 686 шт

Внешние склады:

4 600 шт

Аналоги:

6 004 шт

Цена от:

от 13,98₽

FDC608PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3706 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 14.7 А, 3.8Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

14.7A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1882пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7692S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1385пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6680A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12.5А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD3P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

4.9 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4P40TM Транзистор полевой P-канальный 400В 2.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

3.1 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP4P40 Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

3.1 Ом

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA65R600C6XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7.3 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD65R600C6BTMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 7.3А TO252

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7469PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 9А 2.5Вт, 0.012 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 530 шт

Цена от:

от 49,98₽

IRFB4212PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

72.5 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"