Одиночные MOSFET транзисторы

10
Заряд затвора: 190нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
Акция
IRFP3710PBF IRFP3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 51А 180Вт, 0.028 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 097 шт

Внешние склады:
449 шт
Цена от:
от 145,98
STB150NF55T4 STB150NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 267,36
STW55NM60ND STW55NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 51А 350Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
5800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
38 шт

Внешние склады:
14 шт
Цена от:
от 1 218,60
Акция
IRFP064PBF IRFP064PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70А 300Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
7400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP32N50KPBF IRFP32N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 32А 460Вт, 0.135 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
5280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.1А 190Вт, 2.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
6.1A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI4477DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 26.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
26.6A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
6.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.6A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.6A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
STP150NF55 STP150NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.60543 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"