Одиночные MOSFET транзисторы

17
Заряд затвора: 7нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
824пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17302Q5A CSD17302Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG2302U-7 DMG2302U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
594.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2075U-7 DMN2075U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
594.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6630A FDD6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
462пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8622 FDMS8622 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.8A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN359AN FDN359AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN359BN FDN359BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS6630A FDS6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86106LZ FDT86106LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
108 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86244 FDT86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
128 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
395пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD5N15TM FQD5N15TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP3N30 FQP3N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
NTR4503NT1G NTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.73Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.9А 2Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7PF30L STS7PF30L Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"