Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (35)
IRFR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 008 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 40,65
STP7NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 879 шт

Под заказ:
980 шт
Цена от:
от 84,40
AUIRLR3114ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
250 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 163,86
IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
937 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 95,23
IRFH5025TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 134,84
IRLR3114ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 302 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 45,74
STP20NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
14 шт

Под заказ:
60 шт
Цена от:
от 383,80
Акция AUIRLR3114Z Транзистор полевой N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
250 шт
Цена от:
от 163,86
FCPF400N80Z Транзистор полевой N-канальный 800В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Through Hole
FDMS7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4105пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS4675 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQA13N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 218Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP13N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 195Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 610 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2096пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole
IPI029N06NAKSA1 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4100пФ Тип монтажа: Through Hole
IPP80N06S407AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 7.4 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF7455PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3480пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
512 шт
Цена от:
от 19,22
IRF7490PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7490TRPBF Полевой транзистор N-канальный 100В 5.4A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"