Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (34)

Акция

AUIRLR3114ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

226 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 122,58₽

IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

802 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 74,88₽

Акция

IRFR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1690пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 616 шт

Внешние склады:

2 000 шт

Цена от:

от 34,74₽

IRLR3114ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 068 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 63,24₽

STP7NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

1.8 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1138пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

200 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 141,30₽

STP7NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2А 30Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

1.8 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1138пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 711 шт

Внешние склады:

1 090 шт

Цена от:

от 71,82₽

STP20NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

192Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

32 шт

Внешние склады:

110 шт

Цена от:

от 386,16₽

Акция

AUIRLR3114Z Транзистор полевой N-канальный 40В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

226 шт

Цена от:

от 122,58₽

FCPF400N80Z Транзистор полевой N-канальный 800В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

35.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMS7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

4105пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4675 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 11 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

4350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA13N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

218Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2055пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP13N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

195Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2055пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF10N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

610 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2096пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2055пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPI029N06NAKSA1 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

2.9 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

4100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP80N06S407AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

7.4 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7455PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт, 0.008 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

454 шт

Цена от:

от 80,52₽

IRF7490PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.4 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7490TRPBF Полевой транзистор N-канальный 100В 5.4A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"