Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
Акция
IRFB3607PBF IRFB3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 807 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,98
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 433 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 37,56
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 129,60
AUIRFR3607 AUIRFR3607 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB082N15A FDB082N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 117A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
117A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7660 FDMS7660 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
5565пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
83A
Сопротивление открытого канала:
8.3 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP448PBF IRFP448PBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 11 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFPC50LCPBF IRFPC50LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR3607PBF IRFR3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 433 шт
Цена от:
от 37,56
Акция
IRFS3607PBF IRFS3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
500 шт
Цена от:
от 129,60
IRFU3607PBF IRFU3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI4838BDY-T1-GE3 SI4838BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 34 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
2.7 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
5760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB34NM60N STB34NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 29A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
2722пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB75NF20 STB75NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP75NF20 STP75NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW75NF20 STW75NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"