Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
Акция
STN3P6F6 STN3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3А 0.16 Ом, 2,6Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
228 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 112,38
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 380мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
380мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
890мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQP13N06L FQP13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13А 0.135 Ом, 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF13N06L FQPF13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
24Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQT13N06LTF FQT13N06LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU13N06LTU FQU13N06LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 1.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение исток-сток макс.:
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
290мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD10P6F6 STD10P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP10P6F6 STP10P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STS3P6F6 STS3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
206пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"