Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

IRF8788TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 5720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

5 793 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 58,49₽

Акция

AUIRLR3705Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

366 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 171,21₽

Акция

IRF6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

37 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 523,58₽

IRFR6215TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 006 шт

Под заказ:

1 300 шт

Цена от:

от 59,32₽

IRLR3705ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 064 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 83,21₽

SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

80 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 372,89₽

STD60NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

54 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 97,83₽

AUIRF6215 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB070AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 175Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

FDMC7660S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7670AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6570A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6215SPBF Транзистор полевой P-канальный 150В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

37 шт.

Цена от:

от 523,58₽

Акция

IRF8788PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 5720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 793 шт

Цена от:

от 58,49₽

IRFI740GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 40Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 306 шт

Цена от:

от 59,32₽

IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"