Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (45)

IRFB3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43А 71Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

402 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 58,37₽

Акция

IRFR3806TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 170 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 43,56₽

STF13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.28 Ом, 11А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

459 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 83,23₽

STP13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

247 шт

Под заказ:

10 шт

Цена от:

от 119,79₽

FCPF7N60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDC604P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1926пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7682 Транзистор полевой N-канальный 30В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1885пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP10N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 185Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1475пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP12N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 11.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1235пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1475пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF12N50FT Транзистор полевой N-канальный 500В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1395пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF12N50UT Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 42Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1395пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6680AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF16N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 12А 0,16 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740BPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 526пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF7606TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: MSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3806PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 43А 71Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 170 шт

Цена от:

от 43,56₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"