Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

IRF7495TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 335 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 73,74₽

IRF7832TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.32В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

4310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

6 453 шт

Внешние склады:

1 300 шт

Цена от:

от 38,70₽

Акция

STW13N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10А 190Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

12 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 245,64₽

Акция

AUIRFR2607Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17559Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON8EP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

1.15 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.7В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

9200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2552 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP2552 Транзистор полевой N-канальный 150В 37A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB33N10TM Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP33N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

127Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF33N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

41Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD50P04P413ATMA1 Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

12.6 мОм

Мощность макс.:

58Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

3670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7495PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 335 шт

Цена от:

от 73,74₽

Акция

IRF7832PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.32В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

4310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 753 шт

Цена от:

от 38,70₽

IRFH7932TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

4270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR2607ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFSL11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-262-3

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1426пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30MLDX Полевой транзистор N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

91Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

3264пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA10DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2425пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB11N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

525В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

510 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP13N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"