Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

Акция

AUIRFR2607Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 76,56₽

IRF7495TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 343 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 71,38₽

IRF7832TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.32В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 807 шт

Под заказ:

775 шт

Цена от:

от 42,79₽

Акция

STW13N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

27 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 262,10₽

CSD17559Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.15 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2552 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP2552 Транзистор полевой N-канальный 150В 37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB33N10TM Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP33N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 127Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF33N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD50P04P413ATMA1 Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 3670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7495PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 343 шт

Цена от:

от 71,38₽

Акция

IRF7832PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.32В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 582 шт

Цена от:

от 42,79₽

IRFH7932TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Single Die Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR2607ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFSL11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A Производитель: Vishay Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1426пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30MLDX Полевой транзистор N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 3264пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA10DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB11N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 510 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP13N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"