Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (13)

IRF6727MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

1.7 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

6190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

5 441 шт

Внешние склады:

90 шт

Цена от:

от 119,28₽

IRL540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

7 719 шт

Внешние склады:

1 585 шт

Аналоги:

20 089 шт

Цена от:

от 69,48₽

IRL540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

72 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 102,90₽

2SK3480-AZ Полевой транзистор N-канальный 100В MP-25/TO-220

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

31 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

BSC025N03LSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

6100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH25N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 25A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

126 мОм

Мощность макс.:

216Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

3352пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDI045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

263Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

263Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF045N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 67 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

67A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6575 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

4951пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP450LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRL540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

672 шт

Цена от:

от 102,90₽

IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"