Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (47)
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 870 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,88
Акция
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 912 шт

Внешние склады:
2 130 шт
Цена от:
от 66,06
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
373 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 68,64
Акция
IRLL3303TRPBF IRLL3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6А SOT223 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
453 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 239,58
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 382 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 78,90
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
21 107 шт

Внешние склады:
1 890 шт
Цена от:
от 59,70
Акция
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
121 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 97,32
STB28NM50N STB28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
158 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
926 шт

Внешние склады:
2 шт
Цена от:
от 278,10
STF21N65M5 STF21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
188 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 131,82
STF28NM50N STF28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
158 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
61 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 125,58
STFW4N150 STFW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 63Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
168 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 382,02
STP21N65M5 STP21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 200 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 79,02
Акция
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A, 2.5Вт 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 234,96
STP4N150 STP4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 шт
Цена от:
от 375,24
STW4N150 STW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
489 шт
Цена от:
от 138,36
BUK7215-55A,118 BUK7215-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 55 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2107пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18501Q5A CSD18501Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB28N30TM FDB28N30TM Транзистор полевой N-канальный 300В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
129 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4141 FDD4141 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4141_F085 FDD4141_F085 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"