Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

IRFZ46NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 50А 150Вт, 0.024 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1696пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 652 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 36,29₽

STF9NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 40Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2115пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 151 шт

Под заказ:

1 200 шт

Цена от:

от 84,42₽

STP10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

303 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 298,07₽

STP10NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 40Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

308 шт

Под заказ:

840 шт

Цена от:

от 167,21₽

STP9NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2115пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

72 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 310,68₽

STW9NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2115пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

541 шт

Под заказ:

510 шт

Цена от:

от 118,33₽

FDP8874 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 114 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF540SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF540STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP140PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 31A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SI7174DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7190DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 250В 18.4A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 18.4A Сопротивление открытого канала: 118 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2214пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA445EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA449DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR880ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2289пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB32N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 0.119 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 119 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF110N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 5117пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"