Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
Акция IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
446 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,88
IRFL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 049 шт

Под заказ:
2 200 шт
Цена от:
от 26,92
IRLL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 144 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,15
IRLR7807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
101 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,15
IRLTS6342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 744 шт

Под заказ:
6 000 шт
Цена от:
от 17,42
Акция PMV48XP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 0.93Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 768 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 19,48
STN3N40K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 196 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 40,63
AO3435 Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 745пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD2N60 Полевой транзистор N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 56.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9277-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 18 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 643пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17506Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC2512 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 425 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 344пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC2612 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 725 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 234пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD5612 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD770N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 56.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 765пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS8449 Транзистор полевой N-канальный 40В 7.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9610SPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"