Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 72А 130Вт 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
606 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 95,94
Акция
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
437 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 82,02
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59А 160Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 160,62
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
696 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 109,14
IRF8010PBF IRF8010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3830пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
438 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,58
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
292 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,60
IRFB4115PBF IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
22 762 шт

Внешние склады:
1 620 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 70,32
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 153 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,78
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
7200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 547 шт

Внешние склады:
833 шт
Цена от:
от 48,60
Акция
IRFP3306PBF IRFP3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 220Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
220Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 340 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 226,68
Акция
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 157,86
Акция
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 24А 56Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,08
AOD403 AOD403 Полевой транзистор P-канальный 30В 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF3710Z AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDH055N15A FDH055N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
158A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
429Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
9445пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS4465 FDS4465 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
8237пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF1010NSPBF IRF1010NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 180Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
837 шт
Цена от:
от 82,02
Акция
IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
696 шт
Цена от:
от 109,14
Акция
IRF8010SPBF IRF8010SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"