Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 495 шт

Под заказ:
200 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 77,58
IRFH5300TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 7200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 079 шт

Под заказ:
804 шт
Цена от:
от 54,68
Акция IRFP3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 220Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 398 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 263,10
IRF1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 72А 130Вт 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
856 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 115,36
IRF1010NSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
437 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 106,80
IRF3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59А 160Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 180,90
IRF3710ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
757 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 108,98
IRF8010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
458 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 119,38
IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
506 шт

Под заказ:
5 200 шт
Цена от:
от 57,33
IRFB4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4820пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 646 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 51,44
Акция IRFI1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 24А 56Вт, 0.036 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
29 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 51,90
Акция IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
152 шт

Под заказ:
9 600 шт
Цена от:
от 152,42
AOD403 Полевой транзистор P-канальный 30В 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
FDH055N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 158A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 429Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 9445пФ Тип монтажа: Through Hole
FDS4465 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 8237пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF1010NSPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75А 180Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
437 шт
Цена от:
от 106,80
Акция IRF3710ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
757 шт
Цена от:
от 108,98
Акция IRF8010SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF8010STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"