Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
STN4NF03L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4А 2.5Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
992 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 44,27
STN3NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 514 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 27,11
2SK2865(TE16L1,NQ) Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC654P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 298пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6530A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC2523P Транзистор полевой P-канальный 150В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN342P Транзистор полевой P-канальный 20В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 298пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDPF3N50NZ Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF6217TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 0.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.37A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 329мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV65XPEAR Полевой транзистор P-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 618пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV65XPER Транзистор полевой P-канальный 20В 3.3A 3-Pin TO-236AB Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 618пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI2318CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI3443BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.4А 1.1Вт Производитель: Vishay Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 9нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI3456DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount
STN4NF06L Полевой транзистор N-канальный 60В 4A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"