Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
AUIRF1010Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
16 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 164,88
IRF1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
25 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 128,47
IRFR1010ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 98,02
AUIRF1010ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB060AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP060AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF1010ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ44GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFR1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 98,02
SI4114DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 20A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4122DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 27.2 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 27.2A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4401DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16.1А 6.3Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 6.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3007пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIE818DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(L) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPP21N50C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
STB46N30M5 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 53 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 4240пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 90A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"