Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (44)
BSH108,215 BSH108,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.83Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
168 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 11,88
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
520 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 521 шт
Цена от:
от 48,06
Акция
IPP80R1K4P7XKSA1 IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
151 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 35,94
STD1NK60T4 STD1NK60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 476 шт

Внешние склады:
486 шт
Аналоги:
3 378 шт
Цена от:
от 38,28
STN1HNK60 STN1HNK60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
21 534 шт

Внешние склады:
3 650 шт
Цена от:
от 15,72
STP9N60M2 STP9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
780 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
693 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 203,94
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
810 шт
Цена от:
от 134,10
AO3434A AO3434A Полевой транзистор N-канальный 30В 4A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
245пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 8.7 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17309Q3 CSD17309Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
5.4 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC634P FDC634P Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P029Z FDFMA2P029Z Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN339AN FDN339AN Транзистор полевой N-канальный 20В 3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN340P FDN340P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0,5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN5630 FDN5630 Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPS80R1K4P7AKMA1 IPS80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR120ZPBF IRFR120ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7А 35Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
810 шт
Цена от:
от 134,10
IRLR8259PBF IRLR8259PBF Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLU8259PBF IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
MTD3055VL MTD3055VL Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"