Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (57)

Акция

STD5NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.47 Ом, 45Вт, 3A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

578 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,84₽

Акция

STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

73 шт

Под заказ:

178 шт

Цена от:

от 91,18₽

2SK3564(STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.3 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

70 шт

Цена от:

от 238,66₽

STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) type A Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

757 шт

Под заказ:

410 шт

Цена от:

от 104,89₽

STD5N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 шт

Под заказ:

96 шт

Цена от:

от 43,37₽

Акция

STF5N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 4.4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 545пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 26,67₽

FCD900N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC653N Транзистор полевой N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD7N60NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDM3622 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP6030BL Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP7N60NZ Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF7N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDT459N Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB11P06TM Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 11.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD11P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP11P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 11.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"