Одиночные MOSFET транзисторы

57
Заряд затвора: 17нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (57)
STB13N60M2 STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263) type A
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
398 шт

Внешние склады:
20 400 шт
Цена от:
от 79,38
STD5N52K3 STD5N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
525В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,94
Акция
STD5NK40ZT4 STD5NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.47 Ом, 45Вт, 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
305пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
557 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 22,50
STP36NF06L STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
320 шт

Внешние склады:
470 шт
Цена от:
от 78,24
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220SIS (SC-67)
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.3 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
106 шт
Цена от:
от 213,48
IRF5805TRPBF IRF5805TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
98 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
511пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
19 200 шт
Цена от:
от 31,26
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] ST
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
11 520 шт
Цена от:
от 107,46
STD13N60M2 STD13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 65,58
STD5NK40Z-1 STD5NK40Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
305пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 800 шт
Цена от:
от 43,98
STF11N65M5 STF11N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
644пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
48 000 шт
Цена от:
от 57,60
STF13N60M2 STF13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 867 шт
Цена от:
от 40,56
STP11N65M5 STP11N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
644пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 760 шт
Цена от:
от 41,28
STS5NF60L STS5NF60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 000 шт
Цена от:
от 83,94
ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
859пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 050 шт
Цена от:
от 53,22
FCD900N60Z FCD900N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC653N FDC653N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD7N60NZTM FDD7N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDM3622 FDM3622 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN306P FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP6030BL FDP6030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.5123 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"