Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

Акция

IRF7401TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 129 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 47,13₽

IRLL2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

5 268 шт

Под заказ:

6 737 шт

Цена от:

от 25,53₽

IRLR2905TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 158 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 48,27₽

IRLR3110ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 380 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 80,91₽

Акция

IRLU3110ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3980пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

372 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 66,92₽

IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1543пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 978 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,77₽

IRLIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 38Вт, 0.022 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

500 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 295,68₽

IRLZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А 83Вт, 0.022 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 700 шт

Под заказ:

2 600 шт

Цена от:

от 58,28₽

Акция

IRLZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

729 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 77,02₽

AUIRLR2905 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9640-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 39A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP33N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF7401PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 129 шт

Цена от:

от 47,13₽

IRFB9N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL2705PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 005 шт

Цена от:

от 25,53₽

Акция

IRLR2905PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 69Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 158 шт

Цена от:

от 31,56₽

Акция

IRLR2905TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 158 шт

Цена от:

от 29,34₽

Акция

IRLR3110ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт, 0,014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 380 шт

Цена от:

от 48,62₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"