Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (28)
Акция
IRF7401TRPBF IRF7401TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 520 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 40,62
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1543пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 716 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 35,34
Акция
IRLIZ44NPBF IRLIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 38Вт, 0.022 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
498 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 262,14
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 294 шт

Внешние склады:
7 337 шт
Цена от:
от 23,46
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 568 шт

Внешние склады:
4 775 шт
Цена от:
от 35,04
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
3980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 580 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 56,94
Акция
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
3980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
372 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,46
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А 83Вт, 0.022 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 858 шт

Внешние склады:
4 025 шт
Цена от:
от 50,22
Акция
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
363 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 68,40
AUIRLR2905 AUIRLR2905 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 39A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
3072пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB33N25TM FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP33N25 FDP33N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF7401PBF IRF7401PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 120 шт
Цена от:
от 40,62
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
930 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIB5N65APBF IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
930 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLL2705PBF IRLL2705PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
14 631 шт
Цена от:
от 23,46
Акция
IRLR2905PBF IRLR2905PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 69Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 343 шт
Цена от:
от 31,56
Акция
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 343 шт
Цена от:
от 29,34
Акция
IRLR3110ZPBF IRLR3110ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт, 0,014 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
3980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 980 шт
Цена от:
от 48,62
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"