Одиночные MOSFET транзисторы

₃₉

Заряд затвора: 29нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3539)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (39)

IRFB4020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 422 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 69,24₽

IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

212 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 248,04₽

CSD16401Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

4100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCP9N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

385 мОм

Мощность макс.:

88.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF850N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

28.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1315пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 62A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10.9A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1240пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4243 Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 40В 6.7А 44 мОм, 42Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6680AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8780 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA905P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

3405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7692 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3), Power33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.3A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6692A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

11.5 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6614TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] ST

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12.7A

Сопротивление открытого канала:

8.3 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

2560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI9630GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68714 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"