Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
Акция
NX2301P,215 NX2301P,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 145 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,18
STN3N45K3 STN3N45K3 Транзистор полевой 450В 3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
450В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
3.8 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
502 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,98
Акция
STN1NF10 STN1NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
37 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,08
2SK2615(TE12L,F) 2SK2615(TE12L,F) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO3442 AO3442 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
630 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.9В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK92150-55A,118 BUK92150-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
338пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC86244 FDC86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
144 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3N40TM FDD3N40TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
3.4 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N25TM FDD6N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2N028Z FDFMA2N028Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
68 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
455пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P853 FDFMA2P853 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
435пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327NZ FDG327NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
412пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG328P FDG328P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
337пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
103 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDT3N40TF FDT3N40TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
3.4 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD7N10LTM FQD7N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVR4501NT1G NVR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMV250EPEAR Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 1.5A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"