Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
716 шт

Внешние склады:
1 260 шт
Цена от:
от 75,18
STP24NM60N STP24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 120Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
296 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 173,64
STP6NK60Z STP6NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 517 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,56
STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 195 шт

Внешние склады:
1 525 шт
Цена от:
от 39,24
STP8NK80Z STP8NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
175 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 145,80
STP8NK80ZFP STP8NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.2А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
301 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,10
STW24NM60N STW24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 233,22
2SK4125-1E 2SK4125-1E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
610 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
4965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5680 FDD5680 Полевой транзистор N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1835пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD9409_F085 FDD9409_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 90 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
3130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 8.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2045пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS0312S FDMS0312S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672AS FDMS7672AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200 FDMS86200 Транзистор полевой N-канальный 150В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86201 FDMS86201 Полевой транзистор, N-канальный, 120 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
120В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
11.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2672 FDS2672 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS3580 FDS3580 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF76429S3ST HUF76429S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 20 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1285пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"