Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (36)
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 010 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 24,90
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
852 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 133,50
STP11NK40Z STP11NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 0.55 Ом, 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
397 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 105,84
STP11NK40ZFP STP11NK40ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
154 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 141,18
STP9NK50Z STP9NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А, 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
185 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,22
Акция
STP9NK50ZFP STP9NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
341 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,60
AUIRFR5505 AUIRFR5505 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
31 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,42
Акция
STF15N80K5 STF15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 226,92
BUK9212-55B,118 BUK9212-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
3519пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18503Q5A CSD18503Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD14AN06LA0_F085 FDD14AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5690 FDD5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86259P FDMC86259P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
107 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2045пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS5690 FDS5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1107пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB50N06LTM FQB50N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
52.4A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP50N06L FQP50N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
52.4A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
121Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
420 мОм
Мощность макс.:
83.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CPAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 16.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-VSON-4
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
16.4A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
58 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR5505PBF IRFR5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт, 0.11 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 310 шт
Цена от:
от 24,90
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"