Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (36)

Акция

STP9NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

408 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,45₽

AUIRFR5505 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

416 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 119,97₽

IRFR5505TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 718 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 32,46₽

STB11NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

864 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 160,50₽

STF15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

59 шт

Под заказ:

33 шт

Цена от:

от 363,64₽

STP11NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 0.55 Ом, 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

352 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 116,32₽

STP11NK40ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

174 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 169,69₽

STP9NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А, 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

264 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 72,65₽

BUK9212-55B,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 3519пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18503Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 40 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD14AN06LA0_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5690 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86259P Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2045пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5690 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1107пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB50N06LTM Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52.4A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP50N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52.4A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 121Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD65R420CFDATMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 8.7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 83.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPL60R199CPAUMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 16.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-VSON-4 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 16.4A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5215TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR5505PBF Транзистор полевой P-канальный 55В 18А 57Вт, 0.11 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 718 шт

Цена от:

от 32,46₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"