Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
Акция IRF7201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 906 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,73
STD5NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.4А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 535пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 274 шт

Под заказ:
1 125 шт
Цена от:
от 49,73
STP5NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 535пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
763 шт

Под заказ:
324 шт
Цена от:
от 96,59
STP5NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.4А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 535пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
508 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 85,04
2SK3700(F) Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 5 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Through Hole
FDB3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD3682 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8647L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Through Hole
FDS8433A Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 906 шт
Цена от:
от 38,73
IRL530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLI530GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole
NTD110N02RT4G Транзистор полевой N-канальный 24В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 24В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 3440пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVTFS5820NLTWG Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1462пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1443EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 28нКл Тип монтажа: Surface Mount
SIS468DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD30PF03LT4 Транзистор полевой P-канальный 30В 24А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"