Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

Акция

IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

96 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 48,64₽

Акция

IRFR1205TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

20 613 шт

Под заказ:

2 500 шт

Аналоги:

12 282 шт

Цена от:

от 38,05₽

STP17NK40ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 15А 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

84 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 267,98₽

BUK964R8-60E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 9710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA20N50F Транзистор полевой N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 388Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMC6675BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 9.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MLP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2865пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP22N50N Транзистор полевой N-канальный 500В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF20N50FT Транзистор полевой N-канальный 500В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA27N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 27 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQI27N25TU Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP27N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 25.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP65N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

23 113 шт

Цена от:

от 38,05₽

IRFR1205TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

23 113 шт

Цена от:

от 38,05₽

PHP20NQ20T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2470пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4166DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 30.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30.5A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 6.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"